Investigações sobre a avaliação do desempenho do CMOS VLSI

Investigações sobre Avaliação de Desempenho de CMOS VLSIDr.T.SHEELA obteve o seu doutoramento em VLSI Design em 2015 pela Vinayaka Missions Research Foundation, Salem e mestrado pela Universidade Anna em 2008. Ela é Professora Associada/ECE no VMKVEC, Salem. Publicou várias Revistas e Livro. Os seus interesses de investigação incluem circuitos VLSI, Circuito Digital e Circuitos Electrónicos.

A progressão na integração em muito grande escala, biliões de transístores e componentes podem ser colocados num único chip semicondutor para implementação de circuitos complexos. O crescimento da tecnologia recente é no sentido da miniaturização de dispositivos semicondutores, que têm vários obstáculos notáveis na dissipação de calor, no abastecimento de energia, na área do chip e na eficiência dos dispositivos. À medida que a tecnologia avança mais para um nível submicron profundo, os tamanhos das características, a dissipação de energia devido à corrente de fuga estão a aumentar a um ritmo alarmante. Numerosas projecções mostram que a potência de fuga irá evoluir para uma dissipação de energia análoga à dinâmica nos próximos anos; contudo, a potência dinâmica também está a aumentar e ainda domina. A solução ideal para resolver estes obstáculos é analisar o desempenho do circuito VLSI concebido utilizando diferentes tecnologias CMOS.